高速DFB半导体激光器芯片其外延结构复杂、光栅刻蚀后需再生长、工艺和测试步骤繁多，因而形成非常高的技术壁垒，使得国内在这一领域一直处于空白阶段，芯片主要靠从台湾、日本及北美进口获取。项目成员利用自身在外延片和芯片工艺领域的多年经验，提出由FP激光器到DFB激光器；由10G DFB激光芯片到100G DFB芯片；由外部光栅到内部光栅再生长技术，从简到繁合理的完成高速半导体激光器产品的梯度开发。值得一提的是，为了能更进一步提高良率(降低制作复杂度)降低成本,我们提出产品研发初期采用外部光栅制成单模DFB激光器，可免除外延片再生长的需要和制作DFB光栅的工艺过程。同时采用选区生长 (selectivearea growth, SAG)的方式，利用氧化层定义不同区域有着不同主动层的方式，以此方式在一次磊晶中将所有主动层长好。用此技术生产的25G半导体激光外延片，并在工艺过程中用四条不同波长的DFB laser 达到 100Gbs的传输要求。这一过程降低了初期对于高端100G芯片制成的复杂度，降低了产品开发的运营成本。

前景

中国是通讯设备的主要制造国之一，有若干巨头及大量中小型企业生产数以万亿计的通讯设备，市场规模更是以千亿甚至万亿计。该项目的主要产品光收发器主要应用在两个细分市场。